热点:我半导体抗光腐蚀研究取得新进展

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记者最近从内蒙古大学获悉，该校王蕾研究员领导的科研团队在半导体光腐蚀防治研究方面取得了新的进展，得到了国家自然科学基金等许多项目的同意支持。 《钝化层辅助bivo4耐光腐蚀研究》的相关成果最近在国际化学期刊《德国应用化学》上发表，有助于提高太阳能制氢的光电转换效率。

王蕾研究员表示，新型清洁能源本来就是新能源的研究热点，利用光解水制氢是获得氢能的主要技术之一，利用太阳能制氢的转换效率是光解水的主要性能指标。 半导体的低光吸收率和高载流子复合率是影响转换效率的主要因素，因此如何提高光电转换效率是目前光催化研究行业的关键。

bivo4半导体具有2.4电子伏的合适的带隙宽度、良好的光吸收性能以及在合适的低电位下进行氢氧化的传导带位置，因此成为太阳能光催化制氢行业的重要材料之一。 但bivo4材料的电子与空穴复合，严重影响了光电荷传输，使其太阳能光催化性能低于理论值。 另外，由于光腐蚀，无法应用长时间的光解水反应。 一般的处理方法是用表面助催化剂修饰，提高半导体电荷分离效率，抑制电荷二次复合，加速表面反应动力学。

科研小组通过改进材料制备技术及恒电位光极化试验方法，比较有效地提高了bivo4活性及稳定性。 研究表明，无表面助催化剂修饰下的bivo4通过间歇测试可以达到100小时的稳定性，显示出非常强的“自我治愈”特征。 电化学测试表明，半导体表界面产生的钝化层和氧空位的合作作用比较有效地减少了半导体电子和空位的复合，提高了表面氢氧化动力学，抑制了光腐蚀。 (记者张景阳通讯员胡红波)

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